Isaac Hernández Calderón

Investigador Cinvestav 3E

SNII III

E-mail: isaac.hernandez@cinvestav.mx 
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Oficina: 37A

Semblanza

Egresado de la Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN. M. C. por el Departamento de Física del CINVESTAV. Doctorado en Física en la Univ. Estatal de Campinas, Brasil (1981). Estancia posdoctoral en el Inst. Max Planck en Stuttgart, Alemania (1981-1984). Profesor del Depto. de Física del Cinvestav desde 1984. Como usuario fue Group Leader del Centro de Radiación de Sincrotrón de la Univ. Wisconsin-Madison a fines de los 80’s. Elaboró los primeros pozos cuánticos en el país. En 2003 obtuvo el 1er lugar en el concurso Toshiba-IPN sobre “Aplicaciones Directas de Semiconductores”. En el 2005 sus laboratorios se elaboraron nanoestructuras para la fabricación de láseres semiconductores con emisión verde para una empresa de los USA. Ha sido dos veces jefe del Depto. de Física del Cinvestav y presidente de sociedades científicas nacionales e internacionales. Miembro de diversos comités de evaluación y de comités científicos de alrededor de 50 conferencias internacionales. Ha sido organizador principal (Chairman) de varios de los congresos internacionales más importantes de su área. Ha publicado alrededor de 160 artículos de investigación, editado 10 libros y ha escrito varios capítulos en libros de revisión del estado del arte de sus áreas de trabajo. Ha graduado 14 doctores y 19 maestros en ciencias. Conferencista invitado en alrededor de 70 eventos nacionales e internacionales. Fundador de la revista Superficies y Vacío (Mex., 1989) y miembro por 15 años del consejo editorial del Microelectronics Journal (Elsevier). Es miembro desde 2021 del Editorial Board de las revistas J. of Vacuum Science and Technology A y B (American Institute of Physics). Es el Coordinador del Lab. Avanzado de Nanoscopía Electrónica (LANE) del Cinvestav, con capacidad de observar átomos individuales. Desde 2016 es miembro del Board of Directors of NAMBE; desde 2019 es miembro del Advisory Board de la Intl. Conference on Molecular Beam Epitaxy.

Líneas de Investigación

• Propiedades ópticas, electrónicas, eléctricas y estructurales de semiconductores y sus nanoestructuras de interés optoelectrónico.

• Crecimiento de semiconductores por epitaxia de haces moleculares (MBE), epitaxia de capas atómicas (ALE), epitaxia pulsada de submonocapas atómicas (SPBE).  

• Elaboración de películas delgadas y heteroestructuras basadas en pozos y puntos cuánticos.

• Física de superficies e interfaces.

• Microscopía electrónica.

Proyectos relevantes

• Growth and characterization of fractional monolayer quantum dots (FMQDs) of CdSe/ZnSe.

• Study of the excitonic properties of coupled and uncoupled double and triple quantum well systems.

• Design, growth, and characterization of quantum well heterostructures with non-conventional potential profiles.

• Design, growth, and characterization of type I quantum well heterostructures with type II active regions.

• Study of the coverage evolution of atomic monolayers.

Publicaciones recientes y/o relevantes

• "Observation of the splitting of the E2g mode and two phonon spectrum of graphite", Tsu, J. González-Hernández and I. Hernández-Calderón. Solid State Comm. 27, 507 (1978).  https://doi.org/10.1016/0038-1098(78)90382-4

• "New method for the analysis of reflection high energy electron diffraction: *-Sn(001) and InSb(001) surfaces", I. Hernández-Calderón and H. Höchst. Phys. Rev. B27, 4961 (1983). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.27.4961

• "Photoluminescence properties of the Eu3+ activator ion in the TiO2 host matrix", A. Conde Gallardo, M. García-Rocha, I. Hernández-Calderón and P. Palomino-Merino. Applied Phyisics Letters 78, 3436-3438 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1372338 

• "Strain relaxation during the layer by layer growth of cubic CdSe onto ZnSe", O. de Melo, C. Vargas-Hernández and I. Hernández-Calderón. Appl. Physics. Letters 82, 43 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1534941

• "Single-peak excitonic emission of CdSe ultra-thin quantum wells finished with fractional monolayers", Adrián Alfaro-Martínez, Isaac Hernández-Calderón- Microelectronics J. 39, 594-596 (2008). https://doi.org/10.1016/j.mejo.2007.07.116

• "Design of a quantum well based on a ZnCdSe/ZnTe type II heterostructure confined type I within ZnSe barriers", J. C. Banthí-Barcenas, F. Sutara, and I. Hernández-Calderón. AIP Conf. Proc.1934, 030001 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5024488

• "Estimation of the lateral dimensions of epitaxial submonolayer CdSe/ZnSe quantum dots", J.C. Basilio-Ortiz, F. Sutara, I. Hernández-Calderón, , Nanotechnology 31 (2020) 285001 (5pp). DOI 10.1088/1361-6528/ab83b5 

• "Yellow to green Excitonic Emission of Nearly Lattice-Matched Zn1-zCdzSe/Zn1-xCdxSe/Zn1-yMgySe (z >x) Quantum Wells grown on GaAs(001)", Gerardo Villa-Martínez, Frantisek Sutara, Isaac Hernández-Calderón, Journal of Crystal Growth 593 (2022) 126767. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126767 

Ivan Heredia de la Cruz Martín Hernández Contreras