Arturo Escobosa Echavarría

Investigador Cinvestav 3C Categoría en el SNI: Nivel II

• Jefe de la Sección de Electrónica del Estado Sólido.
• Nivel II
• escobosa@cinvestav.mx

Líneas de Investigación: 

• Crecimiento epitaxial de compuestos III-V.
• Caracterización de semiconductores,
• Dispositivos optoelectrónicos.

Semblanza:

• Doctor Ingeniero  de la Universidad de Renania-Westfalia (RWTH, Aachen) 1983, Alemania.
• Maestro en Ciencias del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional 1978,
• Licenciado en Comunicaciones y Electrónica de la Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica del Instituto Politécnico Nacional (1978).
• Jefe de la Sección de Electrónica del Estado Sólido (1994-1999 y  2021-a la fecha )
• Jefe del Departamento de Ingeniería Eléctrica (1999-2003).
• Miembro de Consejo Directivo (Board of Governors) de la Electron Device Society de la IEEE (2011-2016), y presidente de la Región 9 (América Latina) de la misma sociedad (2017-2020).

Áreas de investigación;

• Estudios en semiconductores compuestos  de la familia III-V,
• realización de diodos emisores de luz, impulsor de la técnica MOCVD
• caracterización de materiales semiconductores

Arely Cano Martínez Felipe Gómez Castañeda