Iouri Koudriavtsev
Investigador Cinvestav 3B, Categoría en el SNI: Nivel II
- Teléfono: 5747-3800 ext 6265
- Correo: yuriyk@cinvestav.mx
Líneas de Investigación:
- - Interacción de la radiación en sólidos, pulverización iónica, implantación iónica, preparación de superficies nanoestructuradas mediante haces de iones;
- - Análisis de superficies por métodos SIMS/SNMS, AFM/EFM, Raman, EPMA;
- - Control de procesos (fabricación de semiconductores) y análisis de fallos;
- - Nanoelectrónica al vacío;
- - Datación por hidratación de obsidiana (OHD) con SIMS (arqueometría).
- - Análisis isotópico (isótopos estables) en varios materiales sólidos y biológicos.
Semblanza:
M. Sc. en Física Electrónica (1989), Doctor en Física Electrónica y Física de Semiconductores (1998) Instituto Politécnico de Leningrado (Universidad Politécnico Estatal de San Petersburgo), Leningrado (S-Petersburgo), Rusia
Experiencia profesional:
April 2001 – Presente, Profesor - Investigador, categoría: profesor - investigador, Ingeniería Eléctrica - SEES, CINVESTAV-IPN, México.
Oct. 2018, sept 2019, Investigador, Lab. Heteroestructuras Semiconductoras, Instituto Ioffe de Física y Tecnología (año sabático).
Oct., 2000 - April 2001, Research Fellow, Harvard Medical School, Boston, USA
Feb. 1999 – oct., 2000, Investigador (Catedrático) Cinvestav 3A, Ingeniería Eléctrica - SEES, CINVESTAV-IPN, México.
May 1996 - Jan., 1999, Investigador, Lab. Heteroestructuras Semiconductoras, Instituto Ioffe de Física y Tecnología, St. Petersburg, Rusia
1990 – 1996, Ingeniero - investigador, Instituto Mekhanobr-Analyt, St. Petersburg, Rusia
1989-1990, Ingeniero tecnológico, Centro de Microelectrónica, Ulianovsk, Rusia
Logros:
Siete tesis doctoradas y tres tesis de maestría dirigidos.
Patente Nacional (WO 2013/035082 Al).
Mas de 135 artículos publicados en revistas indizadas con más de 1650 citas; h-índice 20 (Scopus).
Categoría en el SNI: Nivel II
Publicaciones Recientes:
B. Montaño , J. J. Díaz , I. Koudriavtsev, I. Cosme , N. Korneev and S. Mansurova. In-depth study of the effect of annealing temperature on the structural, chemical, and optical properties of MAPI thin films prepared by a one-step deposition method. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. (2023) 34:1016 : 2023. https://doi.org/10.1007/s10854-023-10437-3
Y. Kudriavtsev, R. Asomoza and K.D. Moiseev. Comment on Restoration of the original depth distribution from the SIMS profile using the depth resolution function in framework of RMR model. J. Vac. Sci. Technol. B 41, 056001 (2023) : 2023. https://doi.org/10.1116/6.0002810
Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza and K.D. Moiseev. Restoration of the original depth distribution from experimental SIMS profile using the depth resolution function in framework of RMR model. J. Vac. Sci. Technol. B 41(2) Mar/Apr 2023 : 2023. https://doi.org/10.1116/6.0002302
Revistas especializadas
Yu. Kudriavtsev, R. Asomoza and C. Hernandez Mosqueira. TOF SIMS analysis of mouse fibroblasts cells. Superficies y Vacío 36, 230401 (2023) : 2023. https://doi.org/10.47566/2023_syv36_1-220401
Memorias de congresos internacionales, con arbitraje.
SPIE Organic Photonics Electronics 2023 2023-10-01 - 2023-11-04 San Diego, California, United States:
B. Montaño , J. J. Díaz , Y. Kudriavtsev, I. Cosme and S. Mansurova. Secondary ion mass spectrometry study of organic and inorganic interfaces in methylammonium lead triiodide solar cells. https://doi.org/10.1117/12.2676764
Memorias de congresos locales, con arbitraje
LXVI Congreso Nacional de Física 2023-10-08 - 2023-10-13 Morelia, Michoacán:
5.1.1.d.3. Zárate Reyes José Miguel, Salinas Fuentes Carmén Cecilia, R. Asomoza-Palacio, Cheang Wong Juan Carlos y Yu. Kudriavtsev. Fabricación y caracterización de arreglos ordenados de nanoprismas de Oro obtenidos a través de la modificación de mascarillas de microesferas de sílice por efecto de la irradiación de iones de Si a altas energías.