Ramón Peña Sierra
Investigador Cinvestav 3C Categoría en el SNI: Nivel II
- Teléfono: 5747-3800 ext 3777
- Correo: rpsierra@cinvestav.mx
Líneas de Investigación:
- Materiales semiconductores
- Crecimiento y caracterización de películas epitaxiales semiconductoras por MOCVD.
- Dispositivos optoelectrónicos.
- Diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs.
- Láseres de semiconductor. Emisores de luz blanca.
Semblanza:
Tópicos de Interés
o Nombre: Ramón Peña Sierra.
o Posición: Profesor Titular.
o Doctor en Ciencias: Departamento de Ingeniería Eléctrica del Cinvestav 1990
o E-mail: rpsierra@cinvestav.mx.
o Teléfono: + (52) 57473800 ext 3777.
Interés en los temas relacionados al Desarrollo de tecnologías avanzadas para los dispositivos semiconductores modernos.
- Principales tópicos de investigación
- Tecnologías de películas delgadas de semiconductores, Crecimiento epitaxial por MOCVD, Películas de materiales por pulverización catódica.
- Desarrollo de métodos para producir puntos cuánticos (QDs) contenidos en películas de óxidos metálicos semiconductores.
- Desarrollo de dispositivos semiconductores con heteroestructuras y películas delgadas nanoestructuradas.
- Propiedades ópticas (Fotoluminiscencia, fotoconductividad, magnetorresistencia, y otras)
- Propiedades Eléctricas (Hall- van der Pauw, I-V, C-V, etc.).
- Propiedades estructurales (Raman, XRD, etc.).
- Desarrollo de interfaces y superficies nanoestructuradas para el sensado de gases y aplicaciones catalíticas.
Actividades de investigación recientes
- Desarrollo de puntos cuánticos (QDs) embebidos en matrices de óxidos metálicos semiconductores
- Desarrollo de películas de semiconductores de óxidos metálicos semiconductores decoradas con clústeres de metales de transición para el sensado de la contaminación ambiental.
- Diseño de procesos y crecimiento de películas nanoestructuradas por la técnica de pulverización catódica con magnetrón.
- Crecimiento y caracterización de heterouniones de Cu2O/Ga2O3/ZnO para aplicaciones fotovoltaicas y catalíticas.
- Algunas publicaciones
Capítulos en libros
- Characterization of Nanocrystalline ZnO Grown on Silicon Substrates by DC Reactive Magnetron Sputtering”, G. Juárez-Díaz, A. Esparza-García, M. Briseño-García, G. Romero-Paredes R. J. Martínez-Juárez, and R. Peña-Sierra. New Trends in Electrical Engineering, Automatic Control, Computing and Communications Sciences. Edited by Carlos A. Coello Coello, Alexander Poznyak, José Antonio Moreno Cadenas, Vadim Azhnyakov. 2010, Editorial LOGOS Verlag, Berlin. Germany. ISBN 978-3-8325-2429-6. Part II. Chapter 11.
- “Caracterización estructural y eléctrica de la difusión de indio y cobre en óxido de zinc monocristalino”, G. Juárez-Díaz; R. Peña-Sierra, J. Martínez-Juárez. En Análisis de Materiales diversos por técnicas de Rayos X, Coordinado por Javier Martínez Juárez, Gabriel Juárez Díaz, David Hernández de la Luz y Ramón Peña Sierra. Editado por la Dirección de Fomento Editorial de la Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, ISBN. 978-607-478-502-7. pp: 80-83.
Artículos en revistas arbitradas
- MnO/ZnO:Zn Thin-Film Frequency Adaptive Heterostructure for Future Sustainable Memristive Systems., Neri-Espinoza, K.A.; Andraca-Adame, J.A.; Domínguez-Crespo, M.A.; Gutiérrez-Galicia, F.; Baca-Arroyo, R.; Dorantes-Rosales, H.J.; Peña-Sierra, R. Nanomaterials 2024, 14, 659. https://doi.org/10.3390/nano14080659.
- Sodium doping of Cu2O layers by reactive annealing of Cu2O covered with a NaCl nano-films in a low-oxygen atmosphere”, Laura Hill Pastor, Tomas Díaz Becerril, Miguel Galván Arellano, Ramón Peña Sierra, Thin Solid Films, (2020), 137711, https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.137711
- Photoluminescence and X-Ray diffraction studies on Cu2O”, H. Solache-Carranco, G. Juárez-Díaz, A Esparza-García, M Briseño-García, M Galván-Arellano, J. Martínez-Juárez G Romero-Paredes R, R. Peña-Sierra; Journal of Luminescence (2009) 129 pp 1483-1487.
- Carbon doping in GaAs layers grown with trimethylgallium and solid arsenic in a mixture of hydrogen and nitrogen., R. Peña-Sierra, A. Escobosa and V.M. Sanchez R., Applied Physics Letters (1993). Vol. 62 pp. 2359-2361
Growth of GaAs by MOCVD using a solid arsenic source., R. Peña-Sierra, J.G. Castro-Zavala and A. Escobosa, Journal of Crystal Growth, (1991), Vol. 107, pp. 337-337.