Gabriel Romero-Paredes Rubio
Investigador Cinvestav 3B Categoría en el SNI: Nivel I
- Teléfono: 5747-3800 ext 3777
- Correo: gromero@cinvestav.mx
Líneas de Investigación:
- Dispositivos semiconductores de silicio y silicio poroso.
- Caracterización de semiconductores.
- Procesos tecnológicos de circuitos integrados de silicio.
Semblanza:
- Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica, 1976
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Instituto Politécnico Nacional.
- Maestro en Ciencias en Ingeniería Eléctrica, 1976
Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional del Instituto politécnico Nacional Departamento de Ingeniería Eléctrica
Instituto de semiconductores de la Universidad Técnica de Aquisgrán, Renania del Norte-Westfalia, RWTH Aachen, Alemania.
Líneas de Investigación
- Óxidos Metálicos Semiconductores
- Obtención: pulverización catódica reactiva
- Silicio poroso nanoestructurado
- Obtención: reacción química catalítica y electrólisis.
- Películas poliméricas
- Obtención: depósito químico en fase vapor apoyado por plasma (PECVD)
- Aplicación en dispositivos semiconductores
- Transistores de efecto de campo
- Sensores de gases
- Películas antirreflejantes
- Diodos emisores de luz
- Sistema de caracterización: Elipsometría
Cursos
- Física de semiconductores
- Elipsometría
- Teoría electromagnética
Patentes otorgadas
Salvador Alcántara Iniesta, Antonio Cerdeira Altuzarra, Gabriel Romero Paredes Rubio, “Sensor de presión a TMOS”, Solicitud No. PA/a/1997/003801, Titulo de Patente No. 245922, 23 de mayo 1997.
Publicaciones Recientes:
Publicados en extenso en revistas de prestigio internacional con arbitraje estricto.
Aldo Yair Tenorio Barajas, María de la Luz Olvera Amador, Gabriel Romero Paredes, Victor Altuzar , Efrain Garrido and Claudia Mendoza-Barrera. Chitosan, Chitosan/IgG-Loaded, and N-Trimethyl Chitosan Chloride Nanoparticles as Potential Adjuvant and Carrier-Delivery Systems. Molecules 2023, 28, 4107 : 2023. https://doi.org/10.3390/molecules28104107