Victor Manuel Sánchez Reséndiz
Investigador Cinvestav 3C, Categoría en el SNI: Nivel II
- Teléfono: 5747-3800 ext 3771, 3780
- Correo: victors@cinvestav.mx
Línea de Investigación:
- Materiales semiconductores
- Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski.
- Crecimiento de películas epitaxiales por la técnica MOCVD de compuestos III-V (GaAs, GaAs/Si, GaN, InN AlN, y aleaciones)
Semblanza:
- Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica, ESIME-IPN (1976)
- Maestría en Ciencias en Ingeniería Eléctrica, Cinvestav (1979)
- Doctorado en Ciencias en Ingeniería Eléctrica, Cinvestav (2000)
Los temas de investigación se han desarrollado desde la concepción de los equipos necesarios para el desarrollo de los temas. Con lo cual se adquirió la experiencia necesaria para su desarrollo, así, como el de implementar las medidas necesarias. Esto ha llevado ha conocer plenamente las técnicas descritas.
Se ha participado en el desarrollo de la actividad educativa como en la experimental y administrativa, siendo coordinador académico y jefe de la Sección (SEES).
Por el trabajo desarrollado se realizó una patente mexicana. “Método para la obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridacion” (PA/A/2004/004036).
Publicaciones Recientes:
F. Ramírez González, E. Briones , J. Conde, Víctor Manuel Sánchez Reséndiz and H.Vilchis. Infiltration of carbon-silicon composites into porous silicon by an electrochemical method. J Mater Sci: Mater Electron (2023) 34: 583: 2023. https://doi.org/10.1007/s10854-023-10003-x
J. A. Santis, C. A. Marín García and V.M. Sánchez-R. Effect of different substrates on material properties of cubic GaN thin films grown by LP-MOCVD method. Journal of Crystal Growth 601 (2023) 126944: 2023. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126944